美国HexaTech公司近日宣布推出了基于优化（加工）工艺的N-polar AlN单晶衬底。相较于常规的Al-polar AlN单晶衬底器件外延生长工艺，基于高质量N-polar 表面制备的器件可带来显著的性能提升，以满足市场对N-polar功率/射频器件开发日益增长的需求。该新型N-polar（加工）工艺可延伸适配HexaTech的全部标准2英寸规格产品。

HexaTech资深科学家Rafael Dalmau博士指出："在N-polar AlN单晶衬底上生长的N-polar电子器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT），不仅可以发挥底层AlN单晶衬底高电阻率、高导热性等材料特性，并可实现N-polar的异质结，从而有望提升器件的最大功率增益截止频率。”

HexaTech业务发展副总裁Gregory Mills补充强调：“此项N-polar AlN单晶衬底（加工）工艺历经1年多的开发，长晶直径和体积均满足量产要求，可与HexaTech此前公布的4英寸（100mm）晶圆扩张计划形成协同。该技术开发部分获得了美国国防部DARPA超宽禁带半导体（UWBGS）项目的支持。”

作为实现物理气相传输（PVT）法AlN单晶衬底商业化的全球领先供应商，HexaTech将不断以尖端产品驱动技术革新，引领客户需求。